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CVD管式爐
更新時間： 2025-03-07
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產(chǎn)品報價：
產(chǎn)品簡介： CVD管式爐設(shè)備由沉積溫度控件、沉積反應(yīng)室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據(jù)用戶需要設(shè)計生產(chǎn)，CVD系統(tǒng)除了主要應(yīng)用在碳納米材料制備行業(yè)外，現(xiàn)在正在使用在許多行業(yè)，包括納米電子學(xué)、半導(dǎo)體、光電工程的研發(fā)、涂料等領(lǐng)域。
詳細(xì)資料：
CVD管式爐此款CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實驗。
產(chǎn)品組成：
此款CVD系統(tǒng)配置：
1.1200度開啟式真空管式爐（可選配單溫區(qū)、雙溫區(qū)）。
2.多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)
3.真空系統(tǒng)（可選配中真空或高真空）
CVD管式爐產(chǎn)品特點：
1 控制電路選用模糊PID程控技術(shù)，該技術(shù)控溫精度高，熱慣性小，溫度不過沖，性能可靠，操作簡單。
2 氣路快速連接法蘭結(jié)構(gòu)采用本公司*的知識產(chǎn)權(quán)設(shè)計,提高操作便捷性。
3 中真空系統(tǒng)具有真空度上下限自動控制功能，高真空系統(tǒng)采用高壓強，耐沖擊分子泵防止意外漏氣造成分子泵損壞，延長系統(tǒng)使用壽命。
技術(shù)參數(shù)：
| 系統(tǒng)名稱 | 1200℃單/雙溫區(qū)CVD系統(tǒng) | |
| 系統(tǒng)型號 | CVD-12II-3Z/G | CVD-12II6-3Z/G |
| 極限溫度 | 1200℃ | |
| 加熱區(qū)長度 | 420mm | 600mm |
| 恒溫區(qū)長度 | 280mm | 390mm |
| 溫區(qū) | 雙溫區(qū) | 雙溫區(qū) |
| 石英管管徑 | Φ50/Φ60/Φ80mm | Φ80/Φ100mm |
| 額定功率 | 3.2Kw | 4.8Kw |
| 額定電壓 | 220V | |
| 溫度控制 | 國產(chǎn)程序控溫系統(tǒng)50段程序控溫； | |
| 控制精度 | ±1℃ | |
| 爐管極限工作溫度 | ＜1200℃ | |
| 氣路法蘭 | 密封法蘭與管件連接的地方采用多環(huán)密封技術(shù)，在密封法蘭與管外壁間形成了密封，在管件外徑誤差較大的情況下密封仍然有效，該密封法蘭的安裝只需在*使用設(shè)備的時候安裝 | |
| 氣體控制方式 | 質(zhì)量流量計 | |
| 氣路數(shù)量 | 3路（可根據(jù)具體需要選配氣路數(shù)量） | |
| 流量范圍 | 0-500sccm(標(biāo)準(zhǔn)毫升/分，可選配）氮氣標(biāo)定 | |
| 精度 | ±1%F.S | |
| 響應(yīng)時間 | ≤4sec | |
| 工作溫度 | 5-45℃ | |
| 工作壓力 | 進氣壓力0.05-0.3Mpa(表壓力） | |
| 系統(tǒng)連接方式 | 采用KF快速連接波紋管、高真空手動擋板閥及數(shù)顯真空測量儀 | |
| 規(guī)格 | 高真空 | |
| 系統(tǒng)真空范圍 | 1x10-3Pa-1x10-1Pa | |
| 真空泵 | 真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1200L/S額定電壓220V 功率2KW | 真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1600L/S額定電壓220V 功率2KW |
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| 爐體外形尺寸 | 340×580×555mm | 480×770×605mm |
| 系統(tǒng)外形尺寸 | 530x1440x750mm(不含高真空) | |
| 系統(tǒng)總重量 | 330kg | |
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